革新的な電子デバイスの製造法
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
高性能な誘電体層を持つ電子デバイスの製造方法
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、金属酸化物半導体接合電界効果トランジスタ、微小電気機械システム等の固体電子装置の製造法について述べています。酸化物、アンチモン、ランタン、ニッケル、インジウム等を含む前駆体を用いて、誘電体層や電極層を形成します。特に、第1酸化物層と第2酸化物層を含む誘電体層の製造が特徴で、それぞれの層は特定の加熱温度で形成されます。これにより、結晶相及びアモルファス相を含む誘電体層が実現します。これらの工程は1回ずつ行われ、その間に電極層形成工程が行われます。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能電子デバイスの開発
本特許の製造法を用いて、高性能な誘電体層を持つ電子デバイスを開発することが可能です。これにより、電子デバイスの性能を大幅に向上させることができます。
続きの活用案は会員限定です
無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。
参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。
権利概要
- 出願番号
- 特願2015-506721
- 発明の名称
- 誘電体層及び誘電体層の製造方法、並びに固体電子装置及び固体電子装置の製造方法
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2014/148336
- 登録番号
- 特許第6247684号