高度なスイッチングとメモリ機能を備えた電子素子
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
金属ナノ粒子を用いずに、スイッチングやメモリとして機能する電子素子を提供する特許です。
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、ナノギャップを有する一方の電極と他方の電極を備え、ハログンイオンが一方の電極上で他方の電極に対向するように設けられています。ここで、一方の電極に設けられたハログンイオンの数が他方の電極に設けられたハログンイオンの数と異なるという特徴があります。電極間の電圧を正から負、または負から正に連続的に変化させると、電極間に流れる電流波形が非対称となる点が注目されます。この特性により、金属ナノ粒子を用いずにスイッチングやメモリ機能を備えた電子素子を実現できます。これにより、製造工程が複雑化する問題を解決し、効率的な製造が可能となります。
関連キーワード
AIによる特許活用案
電子デバイスの高性能化
本特許技術を活用することで、電子デバイスのスイッチング速度やメモリ性能の向上が期待できます。これにより、コンピュータの処理速度向上や省エネルギー化を図ることが可能となります。
続きの活用案は会員限定です
無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。
参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。
権利概要
- 出願番号
- 特願2015-505449
- 発明の名称
- 電子素子
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2014/142040
- 登録番号
- 特許第6225347号