革新的な有機薄膜電子デバイスの開発へ
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
高性能な有機薄膜を含む電子デバイスの特許技術
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、ヤヌス型トリプチセン計導体を含む有機薄膜を絶縁層の上に形成した電子デバイスの製造に関するものです。この有機薄膜は、高い電子輸送性を持つとともに、炭化水素基の中の1つ又は2つ以上の炭素原子が酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、または-NR 5-で置換されていてもよいという特性を持っています。これにより、トランジスタ、コンデンサ、ダイオード、サイリスタ、電気発光素子、センサー、またはメモリなどの各種電子デバイスに対して、高い性能と耐久性を提供します。さらに、この電子デバイスは、薄膜トランジスタ、半導体からなるチャネル層、ソース電極、ドレイン電極などの要素を組み合わせることが可能で、用途に応じて最適な設計が可能です。
関連キーワード
AIによる特許活用案
次世代の電子デバイス開発
高い電子輸送性を持つ有機薄膜を用いることで、電子デバイスの性能向上と耐久性の向上を図ることができます。これにより、次世代の電子デバイス開発に大きな貢献をすることが可能です。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2014-561596
- 発明の名称
- 有機薄膜を用いた電子デバイス、及びそれを含有してなる電子機器
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2014/125527
- 登録番号
- 特許第6272242号