革新的な磁気多層膜とトンネル磁気抵抗素子の開発

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

掲載画像・国立研究開発法人産業技術総合研究所

この技術でできること

高速で低消費電力なスピントルク型MRAMの記憶素子として有用な、磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子に関する特許です。

相談したいこと

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技術の特徴

本特許は、スピントルク型MRAM（Magnetoresistive Random Access MemoryまたはMagnetic Random Access Memory）の記憶素子として使用可能な磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子に関するものです。スピントルク型MRAMは、微細化に適しており、高速で低消費電力であるため、不揮発性の混載メモリやDRAM、SRAMの後継として注目されています。本特許の磁気多層膜は、電流を流すことで強磁性体層の磁化の方向が反転する現象を利用した記憶素子で、強磁性下部電極層と強磁性上部電極層の間にトンネル障壁層を挟んだ構造を持っています。これにより、電流を流すとトンネル磁気抵抗効果が生じ、TMR素子が低抵抗になったり高抵抗になったりします。これをデジタル情報の1と0に対応させ、TMR素子が不揮発性の磁気メモリとして利用されます。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体業界コンピュータ硬件業界電子機器製造業界

高速で低消費電力なメモリの開発

本特許の磁気多層膜とトンネル磁気抵抗素子を用いて、高速で低消費電力なメモリを開発することが可能です。これにより、効率的な電力消費と高いパフォーマンスを実現することができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2014-533009
発明の名称: 磁気多層膜及びトンネル磁気抵抗素子
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2014/034639
登録番号: 特許第6049032号

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