高性能薄膜トランジスタの製造技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
高誘電率・適切な厚み・特定の酸素原子比率を持つ薄膜トランジスタを製造する方法
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、特定の誘電率、厚み、酸素原子比率を持つ薄膜トランジスタを製造する技術に関するものです。ランタンとジルコニウムを含む前駆体塗液を用いてゲート絶縁層を形成し、さらにインジウムと鉛、ジルコニウムまたはランタンを含む前駆体を用いてチャネル用酸化物を形成します。この方法により、チャネルの層の厚みが5nm以上80nm以下、比誘電率が15以上30以下、そしてX線光電子分光法による酸素原子の数が0.19以上0.21以下の範囲内になるような高性能薄膜トランジスタを製造することが可能です。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2014-506223
- 発明の名称
- 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2013/141197
- 登録番号
- 特許第5999525号