革新的な半導体コンタクト構造とその形成方法

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

掲載画像・国立研究開発法人産業技術総合研究所

この技術でできること

タングステンとシリコンの特殊な組成比を活用した半導体コンタクト構造とその形成方法を特許化。

相談したいこと

この用途に使える？利用条件を知りたい共同検討を相談したい

技術の特徴

この特許は、特定の範囲のタングステンとシリコンの組成比を持つタングステンケイ素化合物薄膜を半導体基板表面に作製する技術について述べています。半導体基板はシリコンまたはゲルマニウムであることが特徴です。また、遷移金属原子をシランガス中に放出し、シランとの気相反応によって遷移金属内包シリコンクラスターを合成し、半導体基板表面に堆積することが可能です。この技術は、レーザーアブレーション法、スパック法、電子線加熱法などを活用しています。基板温度は室温から600℃の範囲で適応可能で、堆積後には300℃から600℃の範囲で熱処理を行います。この特許によって、半導体デバイスの性能向上と製造プロセスの効率化が可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 半導体製造電子部品製造マイクロエレクトロニクス

高性能半導体デバイスの製造

この特許の技術を利用することで、高性能な半導体デバイスを製造することが可能です。特に、微細化や低抵抗化を求められる現代の半導体産業において、高いパフォーマンスとコスト効率を実現します。

続きの活用案は会員限定です

無料登録またはログイン後に、公開範囲に応じて確認できます。

参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

掲載者による選択状態を表示しています。未選択や ASK は、利用不可を意味するものではありません。

権利概要

出願番号: 特願2014-503769
発明の名称: 半導体コンタクト構造及びその形成方法
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2013/133060
登録番号: 特許第6044907号

登録情報の修正申請