極性面のGaN層とInGaN層を持つ半導体発光素子
国立大学法人山口大学
山口県山口市吉田１６７７−１
この技術でできること
格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和している半導体発光素子
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、主面が非極性面又は半極性面のGaN層と、その上にエピタキシャル成長して形成されたInGaN層を有する半導体発光素子に関する。InGaN層は、GaN層との間の格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和している。その上には、InGaNで形成された多重量子井戸層が設けられている。この発明により、サファイア基板と多重量子井戸層との熱膨張係数の差異により発生する歪みによる応力を歪み緩和層により緩和することが可能となる。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能LEDの製造
本発明の半導体発光素子は、格子不整合による歪みが緩和されているため、高効率、高出力のLEDの製造に活用することができる。これにより、消費電力を抑えつつ、強い光を得ることが可能となる。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2014-502031
- 発明の名称
- 半導体発光素子
- 出願人／権利者
- 国立大学法人山口大学
- 住所
- 山口県山口市吉田１６７７−１
- 公開番号
- WO2013/128894
- 登録番号
- 特許第6019541号