パワーと耐久性を兼ね備えたn型アモルファスシリコンカーバイド半導体素子
国立大学法人山口大学
山口県山口市吉田１６７７−１
この技術でできること
窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドを用いたn型半導体素子とその製造方法
相談したいこと
技術の特徴
本特許は、テトラブチルシランやテトラエトキシシランなどのシラン化合物と、ヘキサメチルジシラザンやヘキサエチルジシラザンなどのシラザン化合物を組み合わせ、n型半導体素子を製造する方法について述べています。また、窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドからなるn型半導体とその製造方法についても記載しています。この方法は、従来のシリコン半導体素子に比べて絶縁破壊電圧が一桁以上大きく、耐熱性、耐薬品性にも優れています。また、窒素ガスをシリコンカーバイド中に拡散させることで、n型半導体を形成します。これにより、高性能な半導体素子の開発が期待されます。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能な太陽光発電システムの開発
この特許の技術を活用することで、高性能な太陽光発電システムの開発が可能になります。耐熱性や耐薬品性に優れたn型アモルファスシリコンカーバイド半導体素子を使用することで、より効率的なエネルギー変換が可能になります。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2013-541636
- 発明の名称
- 窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体及びｎ型半導体素子の製造方法
- 出願人／権利者
- 国立大学法人山口大学
- 住所
- 山口県山口市吉田１６７７−１
- 公開番号
- WO2013/065315
- 登録番号
- 特許第6083676号