革新的な半導体素子接合技術で太陽電池性能を最大化

国立研究開発法人産業技術総合研究所

茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）

掲載画像・国立研究開発法人産業技術総合研究所

この技術でできること

高効率太陽電池を実現する新たな半導体素子接合方法と構造

相談したいこと

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技術の特徴

本特許は、半導体素子の接合方法とその構造に関するもので、特に高効率な太陽電池の製造を可能にします。本技術では、半導体素子の接合面に導電性ナノ粒子を介在させることで、優れた接合構造を実現します。それだけでなく、導電性ナノ粒子の配列間隔は、導電性ナノ粒子サイズの2倍以上10倍以下の距離とすることで、導電性と透光性を両立させています。また、半導体素子は、結晶Si系、アモルファスSi系、微結晶Si系、有機系、カルコパライト系、またはGaAs、TInP、GaSb、Ge基板上等に積層された2接合以上からなる太陽電池として利用します。このような技術により、光電変換効率の高い太陽電池を製造することが可能となります。

AIによる特許活用案

おすすめ業界 エネルギー産業半導体産業ハードウェア製造業

高効率太陽電池の製造

本発明を活用して、光電変換効率を向上させる太陽電池を製造することができます。これにより、太陽光をより効率的に電力に変換することが可能となり、エネルギー産業における再生可能エネルギーの利用を促進します。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2013-539671
発明の名称: 半導体素子の接合方法および接合構造
出願人／権利者: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
住所: 茨城県つくば市梅園１－１－１　つくば中央第１（産総研内）
公開番号: WO2013/058291
登録番号: 特許第5875124号

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