進化する電子デバイスへの道！ナノギャップ電極構造の新技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
この技術でできること
高度なナノデバイスの製造を可能にする、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法とメッキ液の特許技術。
相談したいこと
技術の特徴
本発明は、電子デバイスの微細化と高性能化を実現する電極構造の作製方法、メッキ液、及びナノデバイスに関する特許です。具体的には、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法で、電子線リソグラフィー法又はフォトリソグラフィー法を用いて金属層の対を形成します。また、メッキ液は金属イオンを含む電解液と、金属イオンを選元する本元剤と、界面活性剤を含み、金属層同士のギャップを制御します。この技術により、高度なナノデバイスの作製が可能となり、さらなる電子デバイスの高性能化と微細化が期待できます。
関連キーワード
AIによる特許活用案
高性能電子デバイスの製造
本特許の技術は、電子デバイスの微細化と高性能化に貢献します。具体的には、ナノギャップを有する電極構造の作製方法を利用し、高度な電子デバイスの製造を可能にします。これにより、既存の電子デバイスの性能を大幅に向上させることが可能となります。
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参考情報
活用条件
- サブスクリプション・未選択
- 権利譲渡・未選択
- ライセンス契約・未選択
- 商品化・サービス化
- ASK
- 実証実験
- ASK
- サンプル・プロトタイプ
- ASK
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権利概要
- 出願番号
- 特願2013-503464
- 発明の名称
- ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス
- 出願人／権利者
- 国立研究開発法人科学技術振興機構
- 住所
- 東京都千代田区四番町５－３ サイエンスプラザ
- 公開番号
- WO2012/121067
- 登録番号
- 特許第5942297号