赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置

国立研究開発法人物質・材料研究機構

茨城県つくば市千現１－２－１

この技術でできること

第1/第2半導体の間に「緩衝層」を挿入し、格子不整合の8割以上を吸収。暗電流を低減しつつ感度を向上。

相談したいこと

技術の特徴

本発明は、積層構造（第1電極／第1半導体／緩衝層／第2半導体／第2電極）を備える赤外線検出素子に関する。広いバンドギャップの第1半導体と、InX（V族元素を含む）を主成分とする第2半導体の間に、格子定数を“99～101％の範囲”に調整した緩衝層を設けることで、両者の格子不整合の少なくとも8割を緩和。これにより結晶欠陥に起因する暗電流を抑えつつ、検出感度を高める。第1・第2半導体の伝導型を揃える設計により、接合特性の最適化と製造の安定性を両立し、安価・高感度なIR検出を実現する。応用として、赤外線撮像装置や環境センシング等への展開が想定される。

AIによる特許活用案

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暗電流を抑えた素子として、低ノイズ・高感度な撮像デバイスに応用する。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2021-191169
発明の名称: 赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置
出願人／権利者: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
住所: 茨城県つくば市千現１－２－１
公開番号: 特開2023-077758
登録番号: 特許第7719496号

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