高品質化合物半導体の製造技術

国立研究開発法人科学技術振興機構

東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ

この技術でできること

本特許は、2元系、3元系または4元系の化合物半導体の製造方法について述べています。

相談したいこと

技術の特徴

本特許は、2元系、3元系または4元系の化合物半導体の製造方法を提供しています。特に、Gaを含み、さらにAl及びPまたはInを含有する化合物半導体の製造方法について詳述しています。本製造方法においては、プロセス雰囲気に酸素を含むことなく、チャンバ内の残留成分に含まれる酸素成分、またはターゲット金属に含まれる微量な酸素成分を用いてスパッタリングを行います。また、本特許は、化合物半導体が用いられた導電部と電極とが接続された構造、およびコンタクト構造が備えられた半導体素子も提供しています。

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高品質化合物半導体の製造

本特許の技術を用いて、高品質な化合物半導体を製造する。特に、高電子移動度と低比抵抗を有する化合物半導体を製造することで、電子デバイスの性能を向上させることができます。

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参考情報

活用条件

サブスクリプション・未選択
権利譲渡・未選択
ライセンス契約・未選択

商品化・サービス化: ASK
実証実験: ASK
サンプル・プロトタイプ: ASK

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権利概要

出願番号: 特願2019-521337
発明の名称: 化合物半導体、コンタクト構造、半導体素子、透明電極、化合物半導体の製造方法及びスパッタガン
出願人／権利者: 国立研究開発法人科学技術振興機構
住所: 東京都千代田区四番町５－３　サイエンスプラザ
公開番号: WO2018/221711
登録番号: 特許第6788302号

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